Новосибирские ученые разработали новый метод формирования наноприборов для нейроморфных систем и нанофотоники

14.12.2020
Новосибирские ученые разработали новый метод формирования наноприборов для нейроморфных систем и нанофотоники

Исследователи добились управляемого синтеза высококачественных монокристаллов диоксида ванадия (VO2) на трехмерных наноструктурах кремния, а также селективного роста массивов наноколец VO2.

Эти результаты могут использоваться для создания высококачественных логических наноэлементов в нейроморфных компьютерах, «умных» метаматериалов, сенсоров и оптических фотонных устройств. Авторская технология  основана на широко используемой кремниевой технологии, что открывает перспективы для быстрого промышленного внедрения. Работа сотрудников Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и  Института неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН поддержана Российским научным фондом, результаты опубликованы в журнале CrystEngComm. 
 
Кремниевые приборы практически достигли своих предельных параметров. Для дальнейшего прогресса и увеличения быстродействия процессоров при одновременном уменьшении энергопотребления нужны новые материалы с бОльшим спектром функциональных свойств, чем у кремния. Специалисты ИФП СО РАН и ИНХ СО РАН предложили решение проблемы, интегрировав синтез диоксида ванадия — материала с новыми свойствами — в существующую кремниевую технологию.
 
Привлекательность диоксида ванадия для электроники будущего в том, что его монокристаллы могут очень быстро переходить из полупроводникового состояния в металлическое. Однако при обычном фазовом переходе параметры кристаллической решетки изменяются на один процент, что приводит к разрушению кристалла, если синтезировать его на подложке из кремния. Решение этой проблемы исследователи предложили в своей предыдущей работе, вырастив нанокристаллы на вершинах кремниевых наноигл диаметром около 20 нанометров. В этом случае площадь соприкосновения нанокристалла с такой «подложкой» кремния минимальна, и разрушения не происходит. Нанокристаллы VO2 служили  у авторов резистивными переключателями с рекордной энергоэффективностью и долговечностью — ученые показали, что можно совершить более ста миллиардов обратимых переходов из металлического состояния в полупроводниковое. 
 
«Мы формируем практически все элементы приборов из кремния, используя кремниевую технологию, и только на финальном этапе, в заданных местах: на кремниевых  наноплощадках или иглах синтезируем монокристаллы VO2. Такой подход открывает возможность массового формирования высокоточных, дешевых VO2 наноприборов», — объясняет соавтор статьи заведующий лабораторией физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН член-корреспондент РАН Виктор Яковлевич Принц.
 
Ранее в мире в основном синтезировались и исследовались поликристаллические пленки VO2. Низкое качество таких пленок не позволяло использовать их для электронных приложений. Например, в 2015 году рекордное количество переключений, которое выдерживали пленки, не превышало одного миллиона, что означало деградацию прибора после секунды воздействия мегагерцового сигнала. Миллиарды кремниевых транзисторов в сотовых телефонах и компьютерах безотказно работают, прежде всего, потому, что они формируются из практически идеального монокристалла кремния.
 
«Несколько лет назад, когда мы только начинали работать с VO2, мы поставили перед собой амбициозную цель — создать высококачественный материал и довести технологию до промышленного внедрения», — подчеркивает Виктор Принц.
 
«Изучив различные условия синтеза монокристаллов VO2 из газовой фазы, мы с помощью комплексных исследований морфологии, атомной структуры кристаллов, их состава и электрических характеристик показали, что высококачественные монокристаллы диоксида ванадия синтезируются только при соблюдении оптимальной температуры около 460 оС. Отклонение от нее даже на 20 оС приводит к синтезу дефектных кристаллов, состоящих из нескольких фаз. Мы гарантированно можем выращивать монокристаллы VO2 М-фазы с практически идеальными характеристиками. Именно кристаллы М-фазы способны переключаться из полупроводникового состояния в металлическое при температурах близких к комнатной. Более того, мы научились  управляемо синтезировать не только отдельные нанокристаллы и их массивы, но и более сложные структуры VO2 в виде трехмерных массивов наноколец. Отметим, что до наших работ такой управляемый синтез отсутствовал» — говорит соавтор статьи научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН Сергей Владимирович Мутилин.
 
Трехмерные массивы наноколец оксида ванадия могут служить, в частности, оптическими резонаторами в перестраиваемых  метаматериалах. Это дает новые возможности для динамического управления светом, в том числе для развития быстродействующих систем передачи и обработки информации.
 
«Часто, чтобы получить результат, необходимы нестандартные решения. Для формирования уникальных наноколец VO2, мы использовали особенности глубокого травления кремния с применением попеременных процессов ионного травления и пассивации, известного под названием Бош-процесса. При таком процессе на стенках вертикальных и трехмерных структур формируются “гребешки” обусловленные цикличностью процесса. Именно на этих “гребешках”, опоясывающих вытравленные цилиндрические наноструктуры кремния нам удалось селективно синтезировать VO2 и тем самым сформировать трехмерные массивы замкнутых колец VO2. Важно отметить, что Бош-процесс очень широко применяется в промышленности, что открывает для нашей технологии возможность внедрения в производство. Мы предполагаем, что наш подход можно распространить на другие перспективные материалы», — добавляет Виктор Принц.

Эти результаты могут использоваться для создания высококачественных логических наноэлементов в нейроморфных компьютерах, «умных» метаматериалов, сенсоров и оптических фотонных устройств. Авторская технология  основана на широко используемой кремниевой технологии, что открывает перспективы для быстрого промышленного внедрения. Работа сотрудников Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и  Института неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН поддержана Российским научным фондом, результаты опубликованы в журнале CrystEngComm.  

Кремниевые приборы практически достигли своих предельных параметров. Для дальнейшего прогресса и увеличения быстродействия процессоров при одновременном уменьшении энергопотребления нужны новые материалы с бОльшим спектром функциональных свойств, чем у кремния. Специалисты ИФП СО РАН и ИНХ СО РАН предложили решение проблемы, интегрировав синтез диоксида ванадия — материала с новыми свойствами — в существующую кремниевую технологию. 

Привлекательность диоксида ванадия для электроники будущего в том, что его монокристаллы могут очень быстро переходить из полупроводникового состояния в металлическое. Однако при обычном фазовом переходе параметры кристаллической решетки изменяются на один процент, что приводит к разрушению кристалла, если синтезировать его на подложке из кремния. Решение этой проблемы исследователи предложили в своей предыдущей работе, вырастив нанокристаллы на вершинах кремниевых наноигл диаметром около 20 нанометров. В этом случае площадь соприкосновения нанокристалла с такой «подложкой» кремния минимальна, и разрушения не происходит. Нанокристаллы VO2 служили  у авторов резистивными переключателями с рекордной энергоэффективностью и долговечностью — ученые показали, что можно совершить более ста миллиардов обратимых переходов из металлического состояния в полупроводниковое.  

«Мы формируем практически все элементы приборов из кремния, используя кремниевую технологию, и только на финальном этапе, в заданных местах: на кремниевых  наноплощадках или иглах синтезируем монокристаллы VO2. Такой подход открывает возможность массового формирования высокоточных, дешевых VO2 наноприборов», — объясняет соавтор статьи заведующий лабораторией физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН член-корреспондент РАН Виктор Яковлевич Принц. 

Ранее в мире в основном синтезировались и исследовались поликристаллические пленки VO2. Низкое качество таких пленок не позволяло использовать их для электронных приложений. Например, в 2015 году рекордное количество переключений, которое выдерживали пленки, не превышало одного миллиона, что означало деградацию прибора после секунды воздействия мегагерцового сигнала. Миллиарды кремниевых транзисторов в сотовых телефонах и компьютерах безотказно работают, прежде всего, потому, что они формируются из практически идеального монокристалла кремния. 

«Несколько лет назад, когда мы только начинали работать с VO2, мы поставили перед собой амбициозную цель — создать высококачественный материал и довести технологию до промышленного внедрения», — подчеркивает Виктор Принц. 

«Изучив различные условия синтеза монокристаллов VO2 из газовой фазы, мы с помощью комплексных исследований морфологии, атомной структуры кристаллов, их состава и электрических характеристик показали, что высококачественные монокристаллы диоксида ванадия синтезируются только при соблюдении оптимальной температуры около 460 оС. Отклонение от нее даже на 20 оС приводит к синтезу дефектных кристаллов, состоящих из нескольких фаз. Мы гарантированно можем выращивать монокристаллы VO2 М-фазы с практически идеальными характеристиками. Именно кристаллы М-фазы способны переключаться из полупроводникового состояния в металлическое при температурах близких к комнатной. Более того, мы научились  управляемо синтезировать не только отдельные нанокристаллы и их массивы, но и более сложные структуры VO2 в виде трехмерных массивов наноколец. Отметим, что до наших работ такой управляемый синтез отсутствовал» — говорит соавтор статьи научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН Сергей Владимирович Мутилин. 

Трехмерные массивы наноколец оксида ванадия могут служить, в частности, оптическими резонаторами в перестраиваемых  метаматериалах. Это дает новые возможности для динамического управления светом, в том числе для развития быстродействующих систем передачи и обработки информации. 

«Часто, чтобы получить результат, необходимы нестандартные решения. Для формирования уникальных наноколец VO2, мы использовали особенности глубокого травления кремния с применением попеременных процессов ионного травления и пассивации, известного под названием Бош-процесса. При таком процессе на стенках вертикальных и трехмерных структур формируются “гребешки” обусловленные цикличностью процесса. Именно на этих “гребешках”, опоясывающих вытравленные цилиндрические наноструктуры кремния нам удалось селективно синтезировать VO2 и тем самым сформировать трехмерные массивы замкнутых колец VO2. Важно отметить, что Бош-процесс очень широко применяется в промышленности, что открывает для нашей технологии возможность внедрения в производство. Мы предполагаем, что наш подход можно распространить на другие перспективные материалы», — добавляет Виктор Принц.

Источник: Наука в Сибири
Все комментарии
Комментировать
Введите число, которое видите на картинке

Чистые технологии: