Исследователи создали транзистор, который работает на рекордной частоте 38 гигагерц, хотя, он способен работать на умопомрачительных 110 гигагерцах. В вычислительной технике это приведет к молниеносной скорости процессора.
В беспроводных технологиях такой транзистор может передавать данные или мощность по сети. Это открывает новые возможности для носимой электроники и датчиков.
Наноразмерный метод изготовления коренным образом изменяет традиционные подходы литографии, которые используют свет и химические вещества в гибком шаблоне транзистора, преодолевая такие ограничения, как дифракция света, неточности, приводящие к коротким замыканиям контактов, необходимости изготовлять схемы в несколько проходов.
Используя низкотемпературные процессы, схема гибкого транзистора из монокристаллического кремния, в конечном счете, размещается на полиэтилентерефталате методом нанопечатной литографии.
Методом селективного легирования, исследователи вводят примеси в материалы для повышения их электрической проводимости. Для устранения возможного эффекта короткого канала, монокристаллический кремний полностью покрывается легирующей добавкой.
Затем добавляется слой фоторезиста с использованием техники электронно-лучевой литографии. Для этого используется сфокусированный пучок электронов, создающий фигуры шириной 10 нанометров на фоторезисте. После этого применяются пресс-формы на ультратонкой, очень гибкой силиконовой мембране, для создания рисунка фоторезиста. Процесс заканчивается сухим травлением, формирующим структуру транзистора.
С уникальной, трехмерной архитектурой, высокопроизводительный транзистор потребляет меньше энергии и работает более эффективно. Метод позволяет производителям полупроводников разместить еще большее количество транзисторов на электронном устройстве.